杜邦推出EKC PCMP2110清洁剂、EKC PCMP3210清洁剂、EKC 590 CuSolve去除剂

杜邦电子与成像公司今天宣布推出三种支持先进半导体制造的新化学品：杜邦 EKC PCMP2110 清洁剂、EKC PCMP3210 清洁剂和 EKC 590 CuSolve去除剂。

杜邦的 EKC 技术集团开发用于半导体制造工艺（包括前后端晶圆工艺、封装和组装）中的精密清洁和表面处理的材料。EKC 清洁产品组合的这些新扩展解决了与先进技术节点工艺相关的许多复杂挑战，其中工艺步骤的数量有所增加。EKC PCMP2110 和 EKC PCMP3210 是用于化学机械平坦化 (CMP) 清洁的新化学品，而 EKC 590 CuSolve™ 是用于去除蚀刻后残留物的新产品。

EKC PCMP2110 是三项新创新中的最新一项，专为使用氧化铈浆料的新兴逻辑和存储器 CMP 工艺而配制。在先进的节点上，由于越来越高的去除率要求和小氧化铈颗粒尺寸，氧化铈 CMP 后的清洁具有挑战性。EKC PCMP2110 提供比当今市场上使用的专业清洁剂更好的后 CMP (PCMP) 清洁性能，同时还可以消除后湿台商品清洁步骤，例如过氧化硫混合物 (SPM) 或硫酸。

EKC PCMP3210 是杜邦首款钨 PCMP 产品，专为亚 14 纳米 FinFet 逻辑而设计。EKC PCMP3210 与碱性配方中的钨兼容，可在 CMP 后有效清洁介电层（如氮化硅和 TEOS），在非常严格的规格范围内防止腐蚀。EKC PCMP3210 已被许多制造商在先进节点采用。

“随着客户转向用于存储器和逻辑的先进节点工艺，CMP 步骤的数量增加，有效的在线清洁变得更加重要，”杜邦电子与成像 EKC 业务总监 Douglas Holmes 说。“随着我们两款最新 PCMP 产品的推出，我们可以帮助我们的客户降低整体工艺复杂性并保护晶圆产量。”

EKC 590 CuSolve 增强了杜邦的蚀刻后去除化学产品组合，是首款商用蚀刻后清洁产品，设计用于在 7 纳米节点及以上节点创建铜互连。杜邦的去除化学剂消除了反应离子蚀刻 (RIE) 残留物和蚀刻工艺中使用的氮化钛掩模的残留物，同时还蚀刻氮化铝以用于后续的铜金属填充，所有这些都在一个有效的步骤中完成。EKC 590 兼容铜和钴，也向下兼容成熟的技术节点。

“使用 EKC 590，客户可以通过一个快速步骤去除氮化钛硬掩模和 RIE 后残留物、蚀刻氮化铝并完成原位清洁，”杜邦去除化学研发总监 Robert Auger 博士说电子与成像。“我们很高兴为客户提供面向 7 纳米以下节点的首款上市清洁解决方案，使他们能够创建高度可靠的铜互连。”

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